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APTC90TAM60TPG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTC90TAM60TPG
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
APTC90TAM60TPG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：CoolMOS?
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能：超级结
- 漏源电压（Vdss）：900V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：59A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 52A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：540nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13600pF @ 100V
- 功率 - 最大值：462W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商器件封装：SP6-P