搜索
发布采购
APTC90DDA12T1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTC90DDA12T1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
APTC90DDA12T1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：CoolMOS?
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双路降压斩波器）
- FET 功能：超级结
- 漏源电压（Vdss）：900V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：270nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6800pF @ 100V
- 功率 - 最大值：250W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP1
- 供应商器件封装：SP1