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AOTE21115C
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AOTE21115C
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 8TSSOP
AOTE21115C 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥2.08184卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 P 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：930pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.5W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：8-TSSOP