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AOSD62666E
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AOSD62666E
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
AOSD62666E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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AOS
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
AOSD62666E 中文资料属性参数
- 现有数量：24,195现货
- 价格：1 : ￥9.22000剪切带（CT）3,000 : ￥3.90324卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：755pF @ 30V
- 功率 - 最大值：2.5W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC