搜索
发布采购
AONX36324
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AONX36324
FET、MOSFET 阵列产品简介：ASYMMETRIC N
AONX36324 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥5.49048卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），55A（Tc），32A（Ta），85A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.95mOhm @ 20A, 10V, 1.95mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA，2.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V，50nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1145pF @ 15V，2265pF @ 15V
- 功率 - 最大值：3.5W（Ta），24W（Tc），3.5W（Ta），39W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）