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AONV070V65G1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
AONV070V65G1
单 FET，MOSFET产品简介：GAN
AONV070V65G1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,500 : ￥72.12887管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 6A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.9 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）：6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：203 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-DFN（8x8）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN