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AONP36336
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AONP36336
FET、MOSFET 阵列产品简介：30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
AONP36336 中文资料属性参数
- 现有数量：14,900现货
- 价格：1 : ￥8.90000剪切带（CT）3,000 : ￥3.78638卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1330pF @ 15V
- 功率 - 最大值：3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）