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AONE36182
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AONE36182
FET、MOSFET 阵列产品简介：ASYMMETRIC N
AONE36182 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥6.07037卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），60A（Tc），34A（Ta），60A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.6mOhm @ 17A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V，80nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：880pF @ 12.5V，3215pF @ 12.5V
- 功率 - 最大值：2W（Ta），25W（Tc），2.5W（Ta），35.5W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）