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AOND62930
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AOND62930
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N
AOND62930 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥4.50343卷带（TR）
- 系列：AlphaSGT?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 沟道
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta），7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：415pF @ 50V
- 功率 - 最大值：3.5W（Ta），7.3W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）