搜索
发布采购
AOI2N60
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
AOI2N60
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
AOI2N60 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
AOS/万代
-
TO-251
21+ -
16500
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
Alpha & Omega Semiconductor
-
TO251
22+授权代理 -
15800
-
上海市
-
-
-
旋尔只做进口原装，假一赔十...
AOI2N60 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,500 : ￥2.46915管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.4 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：325 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：56.8W（Tc）
- 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-251A
- 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak