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AOD609G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AOD609G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH TO252-4
AOD609G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥7.63000剪切带（CT）2,500 : ￥2.95329卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V，21nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：545pF @ 20V，890pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W（Ta），27W（Tc），2W（Ta），30W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
- 供应商器件封装：TO-252-4L