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AO6608
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AO6608
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP
AO6608 中文资料属性参数
- 现有数量：70,684现货
- 价格：1 : ￥4.13000剪切带（CT）3,000 : ￥1.47497卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V，20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta），3.3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA，1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：235pF @ 15V，510pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.25W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：6-TSOP