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AO4630
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
AO4630
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
AO4630 中文资料属性参数
- 现有数量：8,328现货
- 价格：1 : ￥4.13000剪切带（CT）3,000 : ￥1.46204卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：-
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，7A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.45V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：670pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC