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ALD210800ASCL
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
ALD210800ASCL
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
ALD210800ASCL 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥69.32000管件
- 系列：EPAD?, Zero Threshold?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：4 N 沟道，配对
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：10.6V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 欧姆
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：10mV @ 10μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：15pF @ 5V
- 功率 - 最大值：500mW
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：16-SOIC