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AIMW120R045M1XKSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
AIMW120R045M1XKSA1
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
AIMW120R045M1XKSA1 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
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INFINEON
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PG-TO247-3
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
AIMW120R045M1XKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：208现货
- 价格：1 : ￥214.09000管件
- 系列：Automotive, AEC-Q101, CoolSiC?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 20A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 15 V
- Vgs（最大值）：+20V，-7V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2130 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：228W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO247-3
- 封装/外壳：TO-247-3