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AFT23H200-4S2LR6
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
AFT23H200-4S2LR6
RF FET，MOSFET产品简介：FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
AFT23H200-4S2LR6 供应商
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上海市
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AFT23H200-4S2LR6 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：LDMOS
- 配置：双
- 频率：2.3GHz
- 增益：15.3dB
- 电压 - 测试：28 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：500 mA
- 功率 - 输出：45W
- 电压 - 额定：65 V
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：NI-1230-4LS2L
- 供应商器件封装：NI-1230-4LS2L