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ADP360120W3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
ADP360120W3
FET、MOSFET 阵列产品简介：AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DRIVE P
ADP360120W3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥23,849.71000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：6 个 N 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：379A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.45 毫欧 @ 360A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 40mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：944nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28070pF @ 800V
- 功率 - 最大值：704W（Tj）
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：ACEPACK