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A5G35H110NT4
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
A5G35H110NT4
RF FET，MOSFET产品简介：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
A5G35H110NT4 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：2,500 : ￥275.67400卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：-
- 配置：-
- 频率：3.3GHz ~ 3.7GHz
- 增益：15.3dB
- 电压 - 测试：48 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：70 mA
- 功率 - 输出：15.1W
- 电压 - 额定：125 V
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-PDFN（7x6.5）