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A3I20X050GNR1
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
A3I20X050GNR1
RF FET，MOSFET产品简介：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A3I20X050GNR1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：500 : ￥356.09998卷带（TR）
- 系列：A3I20X050GN
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：LDMOS
- 配置：双
- 频率：1.8GHz ~ 2.2GHz
- 增益：29.3dB
- 电压 - 测试：28 V
- 额定电流（安培）：10μA
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：145 mA
- 功率 - 输出：6.3W
- 电压 - 额定：65 V
- 安装类型：-
- 封装/外壳：OM-400G-8
- 供应商器件封装：OM-400G-8