A2I25H060NR1
RF FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
A2I25H060NR1
RF FET,MOSFET产品简介:IC RF LDMOS AMP
A2I25H060NR1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:双
- 频率:2.59GHz
- 增益:26.1dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流(安培):-
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:26 mA
- 功率 - 输出:10.5W
- 电压 - 额定:65 V
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-270-17 变式,扁平引线
- 供应商器件封装:TO-270WB-17

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