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A2I20H060GNR1
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
A2I20H060GNR1
RF FET，MOSFET产品简介：A2I20H060GN - Airfast RF LDMOS W
A2I20H060GNR1 中文资料属性参数
- 现有数量：500市场
- 价格：10 : ￥213.12700散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：LDMOS（双）
- 配置：2 个 N 沟道
- 频率：1.8GHz ~ 2.2GHz
- 增益：32.4dB
- 电压 - 测试：28 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：24 mA
- 功率 - 输出：12W
- 电压 - 额定：65 V
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-270WBG-15
- 供应商器件封装：TO-270WBG-15