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A2G35S160-01SR3
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
A2G35S160-01SR3
RF FET，MOSFET产品简介：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A2G35S160-01SR3 中文资料属性参数
- 现有数量：222现货
- 价格：1 : ￥1,080.95000剪切带（CT）250 : ￥723.49264卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：LDMOS
- 配置：-
- 频率：3.4GHz ~ 3.6GHz
- 增益：15.7dB
- 电压 - 测试：48 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：190 mA
- 功率 - 输出：51dBm
- 电压 - 额定：125 V
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：NI-400S-2S
- 供应商器件封装：NI-400S-2S