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2N7002KDW_R1_00001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N7002KDW_R1_00001
FET、MOSFET 阵列产品简介：60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
2N7002KDW_R1_00001 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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PANJIT/强茂
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SOT-363
2024 -
91752
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
2N7002KDW_R1_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：8,865现货
- 价格：1 : ￥1.99000剪切带（CT）3,000 : ￥0.34558卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：35pF @ 25V
- 功率 - 最大值：200mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SOT-363