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2N7002KDW-TPQ2
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N7002KDW-TPQ2
FET、MOSFET 阵列产品简介：Interface
2N7002KDW-TPQ2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥0.73201散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 沟道
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：40pF @ 10V
- 功率 - 最大值：300mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SOT-363