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2N7002H6327XTSA2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N7002H6327XTSA2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
2N7002H6327XTSA2 供应商
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- 封装/批号
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INFINEON
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PG-SOT23-3
2022+ -
1360
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上海市
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一级代理原装
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
2N7002H6327XTSA2 中文资料属性参数
- 现有数量：57,645现货
- 价格：1 : ￥2.62000剪切带（CT）3,000 : ￥0.46078卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：20 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT23
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3