搜索
发布采购
2N7002DWH6327XTSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N7002DWH6327XTSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002DWH6327XTSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-SOT363-6
2022+ -
1360
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
INFINEON/英飞凌
-
NA
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
Infineon
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
2N7002DWH6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：85,248现货
- 价格：1 : ￥3.74000剪切带（CT）3,000 : ￥0.70118卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：20pF @ 25V
- 功率 - 最大值：500mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：PG-SOT363-PO