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2N6661JAN02
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N6661JAN02
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
2N6661JAN02 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：90 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：860mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：725mW（Ta），6.25W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-39
- 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐