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15N10
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
15N10
单 FET，MOSFET产品简介：100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
15N10 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
15N10
原装现货 -
韦盛/VSEEI
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TO-252
24+ -
94687
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深圳
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11-22
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只做大芯片/可代替进口/可订制
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HR
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SOP-8
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10
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上海市
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
15N10 中文资料属性参数
- 现有数量：2,478现货
- 价格：1 : ￥4.61000剪切带（CT）2,500 : ￥1.63672卷带（TR）
- 系列：UMW
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：632 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：55W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-252（DPAK）
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
15N10 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 15N10
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 15N10 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 5 Copyright ? 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-846.B 14.7A, 100V (D-S) N-CHANNEL POWER MOSFET ? DESCRIPTION The UTC 15N10 is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC 15N10 is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and load switch. ? FEATURES * R DS(ON) =0.08 ? @V GS =10V,I D =8A * Low gate charge (Typ=24nC) * Low C RSS (Typ=23pF) * High switching speed ? SYMBOL ? ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 15N10L-TN3 |
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