搜索
发布采购
STH320N4F6-6
单 FET，MOSFET更新日期：2024-05-09 16:05:44
STH320N4F6-6
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
STH320N4F6-6 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
STH320N4F6-6
原装现货 -
ST
-
TO-263-7
24+ -
22960
-
深圳
-
05-09
-
原装现货，可接订货，QQ383204303微信同号
-
STH320N4F6-6
热卖 -
ST
-
TO-263-7
19+ -
10000
-
上海市
-
-
-
原装现货
-
isc/固电半导体
-
D2PAK/TO-263-7L
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
ST
-
TO-263-7
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
-
ST/ELNAF
-
TO-263
1928+ -
100
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
ST
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
STH320N4F6-6 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1,000 : ￥21.76469卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VI
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：240 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13800 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2PAK-6
- 封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）