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SQ2361AEES-T1_GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SQ2361AEES-T1_GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
SQ2361AEES-T1_GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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VISHAY
-
SOT-23
23+ -
21000
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上海市
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-
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原装可开增票
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vishay
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NA
2022+ -
108000
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苏州
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原装
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晶体管-FET/MOSFET
-
TI
连可连代销V -
5520
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上海市
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-
1
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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SQ2361AEES-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥5.33000剪切带（CT）3,000 : ￥1.87867卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：620 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：-
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3