搜索
发布采购
IXFN170N25X3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN170N25X3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
IXFN170N25X3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS/艾赛斯
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
IXYS/艾赛斯
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
IXYS/艾赛斯
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
IXYS/艾赛斯
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
艾赛斯
-
全新原装
23+ -
999
-
上海市
-
-
-
现货
-
isc/固电半导体
-
SOT-227
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
IXYS
-
SOT-227B
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
艾赛斯
-
标准封装
22+ -
5000
-
上海市
-
-
-
上海现货，实单可谈
-
艾赛斯/IXYS
-
module
19+ -
888
-
苏州
-
-
-
▊原装进口▊真实库存▊一级代理▊
-
IXYS
-
标准封装
20+ -
666
-
上海市
-
-
-
全新原装热卖产品，更多型号咨询客服。
IXFN170N25X3 中文资料属性参数
- 现有数量：193现货
- 价格：1 : ￥295.02000管件
- 系列：HiPerFET?, Ultra X3
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4 毫欧 @ 85A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：190 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13500 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：390W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227B
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC