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IRLMS2002
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRLMS2002
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
IRLMS2002 供应商
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SOT23-6
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IRLMS2002 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：HEXFET?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1310 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：Micro6?（SOT23-6）
- 封装/外壳：SOT-23-6
IRLMS2002 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRLMS2002
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HEXFET Power MOSFET |
8 Pages页,96K | 查看 |
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IRLMS2002TRPBF
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N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes |
8页,96K | 查看 |