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IRLML6401
单 FET，MOSFET更新日期：2025-03-03
IRLML6401
单 FET，MOSFET产品简介：12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
IRLML6401 供应商
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IRLML6401TR
原装现货 -
INFINEON/英飞凌
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SOT-23
0420+ -
8942
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深圳
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11-18
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只做原装，实单来谈
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IRLML6401TRPBF
原装现货 -
PLINGSEMIC/鹏领
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SOT-23
24+ -
3000
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深圳
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01-08
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IRLML6401TRPBF
原装现货 -
IR
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SOT-23
1520+ -
2700
-
深圳
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11-28
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智弘电子 只做原装
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SOT23
0 -
5000
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杭州
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原装正品现货
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IR
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SOT-23
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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IR
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贴片
年份 -
8900
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上海市
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原装现货，开增值税发票，价格优势
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IR
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SOT-23
23+ -
5800
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上海市
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-
进口原装现货，杜绝假货。
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SHIKE/ELNAF
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SOT23
1929+ -
2780
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
IRLML6401 中文资料属性参数
- 现有数量：4,632现货
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.11466卷带（TR）
- 系列：UMW
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：830 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRLML6401 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRLML6401TRPBF
|
MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:4.3A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:34A; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.05ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:100°C/W; Voltage, Vds Max:12V; Voltage, Vgs th Min:-0.4V; Width, Tape:8mm |
9页,143K | 查看 |