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IPI05N03LA
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPI05N03LA
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
IPI05N03LA 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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InfineonTechnologies
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PG-TO262-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IPI05N03LA 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：OptiMOS?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.9 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3110 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：94W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO262-3
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
IPI05N03LA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IPI05N03LA
|
OptiMOS 2 Power-Transistor |
10 Pages页,349K | 查看 |
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IPI05N03LA
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