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FDPC8012S
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDPC8012S
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
FDPC8012S 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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FAIRCHILD/仙童
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QFN
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
669030
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上海市
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原装可开发票
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ON
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WDFN-8
22+ -
10000
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杭州
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原厂原装现货，假一罚十
FDPC8012S 中文资料属性参数
- 现有数量：3,956现货
- 价格：1 : ￥28.62000剪切带（CT）3,000 : ￥14.35938卷带（TR）3,000 : ￥14.49614卷带（TR）1 : ￥28.86000剪切带（CT）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）卷带（TR）剪切带（CT）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A，26A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 12A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1075pF @ 13V
- 功率 - 最大值：800mW，900mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：Powerclip-33