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FDMS86181
单 FET，MOSFET更新日期：2025-02-12 14:02:51
FDMS86181
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
FDMS86181 供应商
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- 说明
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FDMS86181
原装现货 -
Onsemi
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PQFN-8
2213 -
3000
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北京市
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02-12
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原厂授权渠道，现货
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON/安森美
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4863
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
668904
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上海市
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原装可开发票
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ON
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POWER56
20+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先!请来电垂询！
-
On
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PQFN-8
新批号 -
887000
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上海市
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原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
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ON
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QFN8
22+ -
6000
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杭州
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原厂原装现货，假一罚十
FDMS86181 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥22.10000剪切带（CT）3,000 : ￥10.12378卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Ta），124A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 44A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：59 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4125 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN