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FDMA86151L
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDMA86151L
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
FDMA86151L 供应商
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安森美半導體
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NA
2023+ -
8800
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苏州
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suzy
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Onsemi
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WDFN-6
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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WDFN-6
22+ -
668710
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上海市
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原装可开发票
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ON
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WDFN-6
22+ -
6000
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杭州
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原厂原装现货，假一罚十
FDMA86151L 中文资料属性参数
- 现有数量：5,800现货
- 价格：1 : ￥9.86000剪切带（CT）3,000 : ￥4.17638卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：88 毫欧 @ 3.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：450 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.4W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘