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DMN2310UWQ-7
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
DMN2310UWQ-7
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN2310UWQ-7 供应商
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DIODES
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NA
2023+ -
45170
-
苏州
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FCG
DMN2310UWQ-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货90,000Factory查看交期
- 价格：3,000 : ￥0.41085卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 300mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：38 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：450mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-323
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323