搜索
发布采购
BSZ019N03LSATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSZ019N03LSATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
BSZ019N03LSATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Infineon
-
PG-TSDSON-8
23+ -
60000
-
上海市
-
-
-
原装可开增票
-
INFINEON
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
-
INFINEON
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
BSZ019N03LSATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：90,399现货
- 价格：1 : ￥13.28000剪切带（CT）5,000 : ￥5.84035卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta）. 40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2800 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL
- 封装/外壳：8-PowerTDFN