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APT12057JLL
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
APT12057JLL
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
APT12057JLL 供应商
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专业全新原装进口正品 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断
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IXFN
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标准封装
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8888
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上海市
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全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
APT12057JLL 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：POWER MOS 7?
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：570 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：290 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6200 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：520W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
APT12057JLL 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 APT12057JLL
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
2 Pages页,70K | 查看 |