ZXMN6A11DN8TA
FET - 阵列- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.27675-$0.45
更新日期:2025-03-03
ZXMN6A11DN8TA
FET - 阵列产品简介:MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.27675-$0.45
ZXMN6A11DN8TA 供应商
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ZETEX
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ZXMN6A11DN8TA 中文资料属性参数
- 标准包装:500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:330pF @ 40V
- 功率 - 最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8TA 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
7 Pages页,788K | 查看 |