AON5820
FET - 阵列- 封装:8-WFDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.219
更新日期:2024-04-01

AON5820
FET - 阵列产品简介:MOSFET 2N-CH 20V 10A DFN2X5
- 封装:8-WFDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.219
AON5820 供应商
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AOS/万代
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DFN2x5
21+ -
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杭州
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QFN
22+授权代理 -
15800
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AON5820 中文资料属性参数
- 标准包装:5,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 N 沟道(双)共漏
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.5 毫欧 @ 10A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1510pF @ 10V
- 功率 - 最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:6-DFN-EP(2x5)
- 包装:带卷 (TR)