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AO6800

FET - 阵列
  • 封装:SC-74,SOT-457
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:Digi-Reel?

更新日期:2025-01-08

AO6800

FET - 阵列

产品简介:MOSFET DUAL N-CH 30V 3.4A 6-TSOP

  • 封装:SC-74,SOT-457
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:Digi-Reel?

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AO6800 中文资料属性参数

  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4.96nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:390pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.15W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:785-1081-6

AO6800 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
AO6800

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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