2N7002DW-7-F
FET - 阵列- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0625-$0.09
更新日期:2024-04-01
2N7002DW-7-F
FET - 阵列产品简介:MOSFET N-CHAN DUAL 60V SOT363
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0625-$0.09
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2N7002DW-7-F 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
- 功率 - 最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2N7002DW-FDITR