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- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08143-$0.10923
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08143-$0.10923
2N7002V 供应商
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SOT666
21+ -
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21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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SOT-563
22+ -
668235
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上海市
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原装可开发票
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FAIRCHILD/仙童
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SC-89
2024 -
91752
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
2N7002V 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563F
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2N7002VTR
2N7002V 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N7002V
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
3 Pages页,76K | 查看 |
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2N7002V-7
|
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
3 Pages页,76K | 查看 |
|
2N7002VA
|
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
4页,362K | 查看 |
|
2N7002VA-7
|
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
3 Pages页,76K | 查看 |
|
2N7002VA-7-F
|
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 |
4页,87K | 查看 |
|
2N7002VC
|
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
4页,362K | 查看 |