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2N7002DW-TP
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08
更新日期：2024-04-01
2N7002DW-TP
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08
2N7002DW-TP 供应商
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MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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MCC
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SOT363
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
2N7002DW-TP 中文资料属性参数
- 产品培训模块：Diode Handling and Mounting
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：115mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
- 功率 - 最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2N7002DW-TPTR