搜索
发布采购
ZXMN2A04DN8TA
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.744-$1.085
更新日期：2024-04-01
ZXMN2A04DN8TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.744-$1.085
ZXMN2A04DN8TA 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DIODES
-
SOP8
21+ -
20000
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先，请来电垂询！
ZXMN2A04DN8TA 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.9A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 5.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：40.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1880pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMN2A04DN8TA
|
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
4 Pages页,57K | 查看 |