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ZXMHC6A07N8TC
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.36-$0.42
更新日期：2024-04-01
ZXMHC6A07N8TC
FET - 阵列产品简介：MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.36-$0.42
ZXMHC6A07N8TC 供应商
- 公司
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- 品牌
- 封装/批号
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- 地区
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- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-SOP
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMHC6A07N8TC 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.39A，1.28A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：250 毫欧 @ 1.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.2nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：166pF @ 40V
- 功率 - 最大：870mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMHC6A07N8DITR