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ZXMHC3A01T8TA
FET - 阵列- 封装：SOT-223-8
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.66-$0.7975
更新日期：2024-04-01 00:04:00
ZXMHC3A01T8TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8
- 封装：SOT-223-8
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.66-$0.7975
ZXMHC3A01T8TA 中文资料属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.7A，2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.9nC @ 15V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：190pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-223-8
- 供应商设备封装：SM8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMHC3A01T8TA-NDZXMHC3A01T8TR
ZXMHC3A01T8TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMHC3A01T8TA
|
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
10 Pages页,286K | 查看 |