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ZXMD65P03N8TA
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01
ZXMD65P03N8TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
ZXMD65P03N8TA 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-SO
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMD65P03N8TA 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：25.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：930pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：ZXMD65P03N8CT
ZXMD65P03N8TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMD65P03N8TA
|
DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
4 Pages页,66K | 查看 |